本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合叁鑫策略
长鑫存储LPDDR5X 首创uPoP小型封装。
据长鑫存储官方网站信息更新，长鑫存储已正式推出LPDDR5X产品。
据介绍，LPDDR5/5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。长鑫存储LPDDR5X 首创uPoP小型封装，满足移动旗舰手机更轻更薄的需求，以超强性能优化使用体验，助力设备突破性能瓶颈，开启移动智能新体验。
前两日，长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上分享了LPDDR5X产品的最新进展。目前长鑫存储LPDDR5X的产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点。芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。
模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10677Mbps叁鑫策略，同时兼容LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10677Mbps速率的产品已经启动客户送样。
长鑫存储，完成A股IPO辅导备案
今年7月，长鑫存储，正式启动了IPO。据证监会官网显示，长鑫存储启动上市辅导，辅导机构为中金公司、中信建投。辅导文件显示，长鑫科技注册资本达601.9亿元，无控股股东。
到了10月，长鑫科技已发布IPO辅导工作完成报告。
长鑫科技成立于2016年6月，注册资本601.93亿元，法定代表人赵纶，主要从事动态随机存取存储器（DRAM）产品的研发、设计生产及销售。截至目前，长鑫科技估值已超过1400亿元。
兴业证券指出，长鑫存储作为国内DRAM龙头叁鑫策略，是国内半导体产业重要稀缺标的。其援引Trendforce数据称，长鑫存储2025年底产能将达到30万片/月，同比增长近50%；另据Counterpoint预测，长鑫存储年底DDR5份额将从年初的1%提升至7%，LPDDR5份额将从2025Q1的0.5%提升至年底9%。
东方证券也认为，作为中国大陆DRAM产业链核心企业，长鑫科技拟IPO有望通过上市融资实现业务扩张，全面利好产业链上下游。先进存储的产能扩充，以及国产HBM产品逐步进入量产阶段，将持续利好上游设备和材料环节。
LPDDR5X，业内对比
去年，三星推出的LPDDR5X采用的是基于12nm级LPDDR DRAM技术，并采用了4堆栈、每堆栈2层的结构设计，提供12GB和16GB两种容量版本。
三星高管在谈到该款LPDDR5X的研发设计时表示，LPDDR5X是一种针对智能手机、平板电脑和笔记本电脑等需要高性能的端侧AI优化的内存解决方案。考虑到便携设备使用电池的特性，在低功耗运行的同时实现最高速度非常重要。从设备厚度、发热量等方面考虑，让芯片本身变得更薄也是一项重要任务。
这款内存封装的厚度为0.65mm，相较于上一代产品厚度降低了约9%。这种减薄不仅为设备内部预留了更多的空间，还提高了散热能力，据悉相比前代产品提升了约21.2%，从而提升了整体性能和耐热性。
美光在今年6月宣布，已开始出货全球首款采用1γ（1-gamma）制程节点的LPDDR5X内存认证样品。该产品专为加速旗舰智能手机上的AI应用而设计。美光LPDDR5X内存具备业界领先的速率，达到每秒10.7 Gb（Gbps），同时功耗可降低高达20%。
为满足业界对新一代智能手机紧凑型解决方案日益增长的需求，美光工程师已成功将LPDDR5X的封装尺寸缩小至业界领先的0.61毫米，较竞品轻薄6%，较前一代产品高度降低14%。
美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光基于1γ (1-gamma）节点的LPDDR5X内存将为移动行业带来显著变革。这项突破性技术凭借业界超薄的LPDDR5X封装实现了卓越的速率和能效，为新一代智能手机的创新设计开辟新契机。该解决方案彰显了美光致力于赋能生态系统、打造非凡移动体验的承诺。”
值得一提的是，美光基于1γ的LPDDR5X是公司首款采用先进EUV光刻技术的移动解决方案，目前正在美光的移动产品组合中逐步采用。目前，美光已向特定合作伙伴送样基于1γ节点的LPDDR5X 16GB产品，并将提供从8GB至32GB的多种容量用于2026年的旗舰智能手机。
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